電子，半導體鍍膜專用濺射靶材

磁控濺射靶材
（可為電子與半導體，平面顯示行業，建筑與汽車玻璃行業，薄膜太陽能電池行業，磁存儲行業，工具行業，裝飾行業提供高品質靶材）

高純單質金屬濺射靶材（3N-6N）：鋁靶Al，鉻靶Cr，銅靶Cu，鎳靶Ni，硅靶Si，鍺靶Ge，鈮靶Nb，鈦鈀Ti，銦靶In，銀靶Ag，錫靶Sn，石墨靶C，鉭靶Ta，鉬靶Mo，金靶Au，鉿靶Hf，錳靶Mn，鋯靶Zr，鎂靶Mg，鋅靶Zn，鉛靶Pb，銥靶Ir，釔靶Y，鈰靶Ce，鑭靶La，鐿靶Yb，釓靶Gd，鉑靶Pt等高純單質金屬濺射靶材。

高密度陶瓷濺射靶材（3N-5N）：ITO靶、AZO靶，IGZO靶，氧化鎂靶MgO、氧化釔靶Y2O3，氧化鐵靶Fe2O3,氧化鎳靶Ni2O3，氧化鉻靶Cr2O3、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鎘靶CdS，硫化鉬靶MoS2，二氧化硅靶SiO2、一氧化硅靶SiO、二氧化鋯靶ZrO2、五氧化二鈮靶Nb2O5、二氧化鈦靶TiO2,二氧化鉿靶HfO2，二硼化鈦靶TiB2，二硼化鋯靶ZrB2，三氧化鎢靶WO3，三氧化二鋁靶Al2O3，五氧化二鉭靶Ta2O5、氟化鎂靶MgF2、硒化鋅靶ZnSe、氮化鋁靶AlN，氮化硅靶Si3N4，氮化硼靶BN，氮化鈦靶TiN，碳化硅靶SiC，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶等高密度陶瓷濺射靶材.

備注：CNM生產的陶瓷靶材采用世界最先進的陶瓷生產工藝—惰性氣體保護熱等靜壓燒結技術，相對密度大于95-99%。可以提供靶材的金屬化處理及綁定服務。


高純合金濺射靶材：鎳釩合金靶Ni-V，鎳鉻合金靶Ni-Cr，鈦鋁合金靶Ti-Al，硅鋁合金靶Si-Al，銅銦合金靶Cu-In，銅鎵合金靶Cu-Ga，銅銦鎵合金靶Cu-In –Ga，銅銦鎵硒靶Cu-In –Ga-Se，不銹鋼靶，鋅鋁合金靶Zn-Al，鎢鈦 W-Ti，鐵鈷 Fe-Co，白銅靶等高純合金濺射靶材。

備注：CNM生產的高純合金濺射靶材：晶粒度小150-60um，相對密度高（99-99.9%），純度高（99.9-99.999%）。可以提供靶材的金屬化處理及綁定服務。
真空鍍膜材料
（鍍制：復合膜，彩色膜,增透膜，透紫外膜，氣敏傳感器膜，高溫介質膜，光學膜，激光裝置濾光片，保護膜，透明導電膜，變色膜，優良的寬帶增透膜，磁性薄膜，可見光區增透膜，紅外增透膜，分光膜，多層膜，高反射膜，電阻膜，熱反射膜，冷光膜膜）


高品質真空鍍膜材料（4N-5N）：

1.氧化物:一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3等高純氧化物鍍膜材料。
2.氟化物：氟化釹NbF3,氟化鋇BaF2，氟化鈰CeF3，氟化鎂MgF2，氟化鑭LaF3，氟化釔YF3，氟化鐿YbF3，氟化鉺ErF3等高純氟化物。
3.其它化合物：硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，硫化鎘CdS等真空鍍膜材料。
4.金屬鍍膜材料：高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，銅銦鎵合金CuInGa，銅銦鎵硒合金CuInGaSe，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合
金AlSi等金屬鍍膜材料。

備注：CNM生產的真空鍍膜材料均通過SGS認證，純度高，濺點少，放氣量小，薄膜均勻，附著力強，抗腐蝕性強，顏色均勻等優點。